Stan nasycenia/nienasycenia

bezele247 · Postautor: **bezele247** » 4 sty 2006, o 10:58

Witam moze mi ktos wytlumaczyc czym jest zjawisko stanu nasycenia i stanu niesacyenia - [chodzi w moim przypadku inwerter CMOS - jak przchodzi charaktyka pradowa/napiecowa]
prosze o pomoc bo niemoge nigdzie znalesc czym sa te stany - pozdrawiam

radcorp · Postautor: **radcorp** » 4 sty 2006, o 22:22

stan nasycenia: w tym stanie tranzystor można traktować jako zwarcie o R=0
stan przeciwny: w tym stanie tranzystor można traktować jako przerwe w obwodzie
R=nieskończoność. w skrócie

charakterystyka: sciągnij pdf do układu CD4069 tam pewnie będzie.

a_antoniak · Postautor: **a_antoniak** » 4 sty 2006, o 23:31

Czy nie chodzi raczej o tranzystor MOS a nie inwerter CMOS?

Futrzaczek · Postautor: **Futrzaczek** » 5 sty 2006, o 15:34

...chodzi w moim przypadku inwerter CMOS...

a_antoniak · Postautor: **a_antoniak** » 5 sty 2006, o 15:53

...chodzi w moim przypadku inwerter CMOS...

Umiem czytać. Zapytalem, bo stany nasycenia/nienasycenia dotycza raczej tranzystorow niz bramek. Nie rozumiesz, ze moje pytanie wynikalo z tego?

Futrzaczek · Postautor: **Futrzaczek** » 5 sty 2006, o 15:55

Dobra, OK, już się zamknę, bo najwyraźniej przeszkadzam

Press · Postautor: **Press** » 5 sty 2006, o 16:14

hmmm, a moze koledze chodzlio o analize stanu nasycenia i zatkania tranzystora MOS, ale pracujacego w ukladzie inwertera. Ale tylko gdybam sobie

zas · Postautor: **zas** » 20 lut 2006, o 23:24

no elemnty cmos są chyba zrobione na tranzystorach polowych.a w polówkach stan nasycenia jest gdy Uds>Ugs-Up i wtedy id=1/2B(Ugs-Up)^2 a nienasycenia gdy Uds<Ugs-Up i wtedy id=B[(Ugs-Up)Uds-1/2Uds^2]

gavi · Postautor: **gavi** » 21 lut 2006, o 09:41

Witam
Wydaje mi się że stan nasycenia jest zdefiniowany ogólnie jako stan w którym prąd płynący w obwodzie wyjściowym nie zależy od zmian sygnału na wejściu elementu regulacyjnego a jedynie od zewnętrznych elementów tego obwodu. Dla tranzystora bipolarnego będzie to odpowiednio duży prąd bazy , dla CMOS-a napięcie bramki ale są to tylko wielkości fizyczne umożliwiające spełnienie warunku przekroczenia zakresu regulacji.

Powracając do pierwotnego pytania stan nasycenia będzie to taki stan w którym po przekroczeniu wartości granicznej napięcia (CMOS) dalsze zwiększanie tego napiecia nie powoduje już żadnych dalszych zmian na wyjściu. Nie wiem jak dla CMOS ale dla układów bipolarnych definiuje się tzw współczynnik przesterowania k mówiący o tym ilokrotnie prąd wyjściowy byłby większy gdyby układ nie był nasycony.

Analogicznie stan nienasycenia to stan w którym zmiany napięcia wyjsciowego wpływają na prąd wyjściowy .

Jeśli by bramka nie była w stanie nasycenia to ewentualne fluktuacje na wejściu ( z różnych powodów - zmiany zasilania, dołaczenie dodatkowych ukłądów itp mogłyby spowodować w granicznym przypadku zmiany stanu wyjściowego

Stan nasycenia/nienasycenia

Kto jest online